T1G4012036-FL
- Brand: Qorvo
- Transistor Polarity: N-Channel
- Package/Case: NI-360
- Gain: 18.4 dB
- Technology: GaN
- Type: GaN FETs
کاربرد محصول
- Drain-Source Breakdown Voltage: 36 V
- Continuous Drain Current: 12 A
- Power Dissipation: 117 W
- Maximum Drain Gate Voltage: – 2.9 V
- Maximum Operating Frequency: 3.3 GHz
- Output Power: 24 W
- Product: GaN RF Power Transistors
| وضعیت |
جدیدترین محصولات |
|---|
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.